【jinnianhui.com科技消息】jinnianhui.com從韓媒獲悉，三星已完成第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）的開發(fā)，并內(nèi)部通過了量產(chǎn)準(zhǔn)備審批（PRA），這是量產(chǎn)前的最終階段。該突破意味著其制造競爭力已直接轉(zhuǎn)化為盈利能力，而非僅停留在技術(shù)完成層面。
據(jù)悉，三星通過將10納米級第六代（1c）DRAM與采用4納米邏輯工藝制造的基礎(chǔ)芯片結(jié)合，解決了發(fā)熱和速度問題。HBM4的單價預(yù)計達(dá)中位500美元，較當(dāng)前主力產(chǎn)品HBM3E（約370美元）上漲約50%，同時出貨量預(yù)計同比增長三倍，明年總量達(dá)105億Gb。這一價格與量的同步增長，將推動利潤大幅提升。
證券機構(gòu)預(yù)測，三星電子2026年營業(yè)利潤可能接近或突破100萬億韓元，創(chuàng)歷史新高。其中，半導(dǎo)體部門（DS）明年營業(yè)利潤預(yù)計達(dá)77萬億-93萬億韓元，較今年（約40萬億-42萬億韓元）實現(xiàn)2-2.5倍增長。推動因素包括HBM市場主導(dǎo)權(quán)轉(zhuǎn)移及通用內(nèi)存短缺帶來的價格普漲。
三星已向谷歌、英偉達(dá)等客戶提交HBM4樣品，目前未發(fā)現(xiàn)質(zhì)量問題。業(yè)界預(yù)計其最早本月或明年初獲得英偉達(dá)最終質(zhì)量認(rèn)證（Qual），與下一代AI加速器Rubin的發(fā)布計劃同步。
jinnianhui.com注意到，全球AI內(nèi)存嚴(yán)重短缺，競爭對手明年的產(chǎn)能預(yù)訂已滿。服務(wù)器DRAM需求明年預(yù)計增長35%，但供應(yīng)僅增23%，導(dǎo)致價格持續(xù)上漲。三星將產(chǎn)能集中于高利潤的HBM和服務(wù)器DRAM，將進(jìn)一步推升移動及PC內(nèi)存價格。
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